GC20N65Q_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）具備25A的連續漏極電流（ID）和800V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為165mΩ。其柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V，適用于高效率、高頻工作的功率轉換系統。碳化硅材料的采用有效降低了開關與導通損耗，配合較寬的柵極驅動電壓窗口，有助于提升系統穩定性與控制精度，適合對能效和熱性能有較高要求的應用場合。
