IAUCN10S7L040ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:3.6mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有120A的連續漏極電流（ID）、100V的漏源擊穿電壓（VDSS），以及低至3.6毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。其優異的導通特性可顯著降低導通損耗，提升系統整體效率。適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源管理、直流-直流轉換及高電流開關應用，在高頻或大電流工作條件下仍能保持穩定的電氣性能。
