SI7460DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:65A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:8mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）額定漏極電流（ID）為65A，漏源電壓（VDSS）為60V，導通電阻（RDS(ON)）為8毫歐，柵源驅動電壓（VGS）最高可達20V。器件在中高電流條件下具備良好的導通特性與開關性能，適用于電源管理、電機控制、電池保護及各類高效能開關電路。其較低的導通電阻有助于降低功耗，提升系統熱穩定性，同時兼容標準邏輯電平驅動，便于集成于多種電子系統中。
