SCT3030ARC15_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有99A的連續漏極電流（ID）和650V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(on)）低至26mΩ，適用于高效率功率轉換場景。其柵源電壓范圍為-10V至@5V，具備良好的驅動兼容性與開關特性。得益于碳化硅材料的優異性能，器件在高頻、高溫環境下仍能保持穩定工作，適合對能效和體積有較高要求的電源系統應用。
