IXTR102N65X2-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:108A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:20mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備108A的連續漏極電流（ID）和650V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(on)）為20mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具有優異的高溫穩定性和高頻開關能力，在高效率電源轉換、可再生能源系統及高功率密度電力電子設備中可實現更低的導通損耗與更高的系統響應速度。其寬柵壓范圍提升了驅動電路的適配靈活性。
