SI7374DP-T1-E3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道MOSFET的漏極連續電流（ID）為80A，漏源擊穿電壓（VDSS）為30V，導通電阻（RDS(ON)）典型值為4.7毫歐，最大柵源電壓（VGS）為20V。器件在高電流條件下仍能維持較低的導通損耗，適用于電源轉換、電池管理系統、電動工具及各類高效率開關電路中，其低阻抗特性有助于提升系統能效并減少發熱。
