STF38N65M5-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:18A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為18A，漏源電壓耐受能力達650V，導通電阻為94mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅材料構建，具備優異的高頻開關特性和較低的導通損耗，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及高性能計算設備中的功率管理模塊，在高溫或高頻率工作條件下仍能保持穩定電氣性能。
