SSFU6511_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備15A的連續(xù)漏極電流與650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻典型值為260mΩ，在柵源電壓范圍-5V至!6V內(nèi)穩(wěn)定工作。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻、高溫環(huán)境下仍能保持優(yōu)異的開關(guān)性能與較低的導(dǎo)通損耗，適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉(zhuǎn)換場景，如服務(wù)器電源、可再生能源逆變系統(tǒng)及高頻率開關(guān)電源等應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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