FCH190N65F-F155-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:25A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為25A，漏源電壓耐受能力達800V，導(dǎo)通電阻為165mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備低開關(guān)損耗與高耐壓特性，適用于高頻電源轉(zhuǎn)換、光伏逆變、儲能系統(tǒng)及高效率開關(guān)電源等場景。其穩(wěn)定的電氣性能有助于在嚴苛工作條件下維持高效運行，并簡化熱管理設(shè)計。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
