IPP65R280C6XKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:9A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:306mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS），在25℃條件下可支持9A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為306mΩ。柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-8V至@0V（VGS），適用于多種驅(qū)動(dòng)電路配置。器件基于碳化硅材料，具備快速開關(guān)能力與較低的導(dǎo)通損耗，在高頻率、高效率要求的電源轉(zhuǎn)換和功率管理應(yīng)用中表現(xiàn)良好。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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