IPP65R125C7XKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有30A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻為94mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高擊穿電場與熱導率優勢，在高頻開關應用中表現出較低的導通損耗和良好的熱穩定性。適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及各類緊湊型電力電子裝置，能夠在提升系統效率的同時減少對散熱結構的依賴。
