STL12N65M5-HXY_DFN5X6-8L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:410mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和9A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）為410mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具備優異的高溫穩定性和開關性能，適用于對效率和熱管理要求較高的高頻電源轉換場景。其低導通損耗與快速開關特性有助于提升系統整體能效，適合用于各類高密度、高效率的電力電子應用中。
