IPT65R018CM8XTMA1_TOLLS_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數1：ID:189A 參數2：VDSS:750V 參數3：RDON:11mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有750V的漏源擊穿電壓（VDSS）和189A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）低至11mΩ，支持-10V至@5V的柵源驅動電壓范圍。憑借碳化硅材料的高擊穿場強與優異熱導率，器件在大電流、高電壓條件下仍能維持高效開關性能與低導通損耗，適用于高功率密度電源、可再生能源轉換系統及對效率和散熱要求嚴苛的電力電子應用。
