STP16N65M5-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:306mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為9A，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻典型值為306mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具備優異的高頻特性和高溫穩定性，適用于對效率和功率密度要求較高的電力轉換場景。其低導通電阻有助于降低導通損耗，提升系統整體能效，同時寬柵壓范圍增強了驅動兼容性與可靠性。
