STW24NM65N-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:25A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備25A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為800V，導(dǎo)通電阻典型值為165mΩ。其柵源電壓范圍為-8V至@0V，適用于對開關(guān)效率和熱性能要求較高的電力電子系統(tǒng)。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻工作條件下仍能保持較低的開關(guān)損耗，適合用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源逆變器及各類中高壓功率管理場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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