SPP20N60CFDHKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具備800V的漏源電壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDON）低至165mΩ，可有效降低開關與導通損耗。柵源電壓范圍為-10V至@5V，支持穩定可靠的柵極驅動控制。基于碳化硅材料特性，器件具備優異的高頻開關性能與高溫工作穩定性，適用于高功率密度的電源轉換設計。典型應用包括高效直流-直流變換器、高壓功率因數校正電路及開關電源模塊等電力電子場合，有助于提升系統整體能效與熱管理表現。
