NTMT190N65S3H_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:25A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備25A的漏極電流能力與800V的漏源耐壓，導通電阻為165mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的高擊穿場強和低導通損耗特性，在高電壓、高頻率的開關應用中可實現(xiàn)高效能量轉換。適用于對效率、熱管理和緊湊布局有明確需求的電源系統(tǒng)，能夠在維持穩(wěn)定性能的同時降低整體功率損耗。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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