IPP65R190C7FKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有800V的漏源耐壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻典型值為165mΩ，在高溫與高頻率工作條件下仍能保持優異的導電性能。柵源電壓范圍為-10V至@5V，確保器件在嚴苛環境中具備良好的開關穩定性與抗干擾能力。采用寬禁帶半導體材料，顯著降低開關損耗，提升系統能效。適用于高功率密度電源轉換裝置，如高效直流-直流變換器、太陽能逆變系統及高性能開關電源模塊，滿足對熱性能與可靠性要求較高的設計需求。
