IPL65R115CFD7AUMA1-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:37A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備37A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導(dǎo)通電阻為94mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-10V至@5V。基于碳化硅材料的特性，器件在高電壓、高頻率工作條件下仍能保持較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于對能效和功率密度有較高要求的電源轉(zhuǎn)換及電力電子應(yīng)用，有助于簡化散熱設(shè)計(jì)并提升系統(tǒng)整體效率。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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