SIHG28N65EF-GE3_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:32A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有32A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為94mΩ，在柵源電壓范圍-10V至@5V內穩定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關應用中表現出較低的開關損耗與導通損耗，適用于對效率和熱管理要求較高的電源轉換場景。其堅固的結構支持在嚴苛電氣環境中可靠運行，適合用于高功率密度的電力電子系統。
