UJ3C065030T3S-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:105A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有105A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導通電阻低至26mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具備優異的高頻特性和高溫穩定性，在高效率電源轉換、可再生能源系統及高性能電力電子設備中表現出色。其低導通損耗和快速開關特性有助于提升整體系統能效與功率密度。
