STP26N65DM2-HXY_TO-220C_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管具有800V的漏源電壓（VDSS）和20A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至165mΩ，適用于高效率功率轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)。柵源電壓范圍為-10V至@5V，具備良好的柵極控制特性與開關(guān)穩(wěn)定性。得益于碳化硅材料的高耐壓與低損耗特性，器件可在高頻、高溫環(huán)境下可靠運(yùn)行，廣泛用于高效電源模塊、可再生能源逆變系統(tǒng)、高密度開關(guān)電源及高壓直流變換裝置中，有助于提升系統(tǒng)整體能效與功率密度。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國(guó)際大廈2013-2014
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