IPW65R190CFDFKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有25A的連續漏極電流能力，漏源電壓額定值為800V，導通電阻為165mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料特性，器件在高電壓應用中展現出較低的導通與開關損耗，并支持高頻操作。其負向柵壓容限有助于增強關斷可靠性，適用于對能效、熱管理和空間布局有嚴格要求的電源轉換系統。
