TK110U65Z,RQ_TOLLS_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為36A，漏源電壓耐受能力達650V，導通電阻為94mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。基于碳化硅材料特性，器件在高頻開關條件下展現出較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及高頻電力電子設備。其寬柵壓容限有助于提升驅動兼容性與運行穩定性。
