STP20NM65N-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:306mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）、9A的連續漏極電流（ID）以及306mΩ的導通電阻（RDS(on)），柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，在高頻開關條件下表現出較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源、可再生能源接入設備及對熱性能和空間布局要求較高的電力電子系統。
