STP19NM65N-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:306mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅場效應管為N溝道結構，額定漏極電流ID為9A，漏源擊穿電壓VDSS達650V，導通電阻RDS(ON)為306mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具備高耐壓與低導通損耗特性，適用于對效率和開關性能要求較高的電力轉換場景，可在高頻工作條件下保持穩定輸出，適合用于電源管理、可再生能源系統及高密度功率變換等應用領域。
