IXFP34N65X2W-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備30A的連續漏極電流能力，漏源耐壓為650V，導通電阻為94mΩ，柵源電壓允許范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高頻開關應用中可顯著降低導通與開關損耗，適用于高效率電源、光伏逆變器及高功率密度電力轉換系統。其低RDS(on)有助于減少發熱，而寬VGS范圍增強了驅動兼容性與運行可靠性。
