AOT66918L_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:4.1mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備120A的連續漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至4.1毫歐。其低阻特性有效減小了導通狀態下的功率損耗，適用于高電流、高效率要求的電源轉換系統。器件在高頻開關操作中表現出良好的動態性能，適合用于電機控制、不間斷電源、電池管理系統等對電氣性能和熱穩定性有較高要求的場合。
