SCTWA90N65G2V_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:108A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:20mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有108A的連續漏極電流（ID）、650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20mΩ的導通電阻（RDS(ON)），柵源電壓范圍為-10V至@5V。基于碳化硅材料特性，器件在高頻開關應用中表現出較低的導通與開關損耗，同時具備良好的熱穩定性和抗雪崩能力。適用于高效率電源、可再生能源轉換系統以及對功率密度和能效有較高要求的電力電子設備。
