STDLED656-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:5.3A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:820mR 參數(shù)4：VGS:-8/+19V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，連續(xù)漏極電流（ID）為5.3A，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為820mΩ。其柵源驅(qū)動電壓范圍（VGS）為-8V至!9V，支持較寬的驅(qū)動電平，有助于提升開關(guān)可靠性。器件采用碳化硅材料，具備優(yōu)異的高溫性能與開關(guān)特性，適用于高頻電源轉(zhuǎn)換、光伏逆變器、服務(wù)器電源及高效率充電設(shè)備等對能效和體積敏感的應(yīng)用場合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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