STW20N65M5-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:25A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有25A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓達(dá)800V，導(dǎo)通電阻為165mΩ。柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-8V至@0V，確保器件在多種驅(qū)動(dòng)條件下穩(wěn)定工作。碳化硅材料帶來的高熱導(dǎo)率和低開關(guān)損耗特性，使其適用于高頻、高效率的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如服務(wù)器電源、光伏逆變器及儲(chǔ)能設(shè)備中的功率開關(guān)環(huán)節(jié)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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