R6535KNZ4C13-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:32A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備32A的連續漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻典型值為94mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。其結構基于碳化硅半導體材料，具有較高的開關速度和較低的導通損耗，在高頻運行條件下仍能維持良好的效率與熱性能。適用于對功率密度、轉換效率及長期穩定性有明確要求的電源系統，尤其適合在緊湊型高電壓應用場景中使用。
