STP30N65DM6AG-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有30A的連續漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻RDS(ON)為94mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。憑借碳化硅材料的高擊穿電場強度與優異熱導率，器件在高頻開關和高效率功率轉換場景中表現出較低的導通與開關損耗，適用于對體積、效率及熱性能有較高要求的電源系統。
