DIW065SIC015-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:218A 參數2：VDSS:750V 參數3：RDON:11mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續漏極電流為218A，漏源擊穿電壓達750V，導通電阻低至11mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。基于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關條件下表現出優異的動態性能和較低的能量損耗。其寬柵壓范圍提升了與多種驅動電路的適配能力，同時具備良好的熱穩定性和高效率表現，適用于對功率處理能力和系統緊湊性要求較高的電力電子應用。
