HXY40N02D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:40A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有20V漏源電壓（VDSS）和12V柵源電壓（VGS）規格，適用于低電壓大電流開關場景。其連續漏極電流可達40A，導通電阻低至7.5mΩ，有助于減少功率損耗并提高系統整體能效。器件具備優異的熱穩定性和快速開關響應特性，適合用于高密度電源轉換、便攜式電子設備的功率控制、電池管理系統以及各類直流變換電路，滿足對小型化與高效率有要求的應用需求。
