HXY70N07D_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:6mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管具有60V的漏源耐壓（VDSS）和20V的柵源電壓范圍（VGS），持續(xù)漏極電流可達(dá)80A（ID），導(dǎo)通電阻低至6mΩ。器件具備優(yōu)異的電流傳導(dǎo)能力與低功耗特性，適用于高電流開關(guān)電路。其極低的導(dǎo)通電阻有效減少工作時的熱量積累，提升系統(tǒng)能效。常用于高性能電源管理單元、便攜式大功率設(shè)備、電動工具驅(qū)動電路及大電流DC-DC轉(zhuǎn)換模塊，適合對導(dǎo)通損耗敏感、要求高效率功率控制的電子系統(tǒng)應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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