HXYS36N120MP_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:80mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有1200V的漏源擊穿電壓，連續漏極電流達36A，導通電阻為80毫歐，柵源額定電壓為±20V，具備較強的電壓耐受能力。依托碳化硅材料優勢，器件支持高頻開關操作，具備較低的導通與開關損耗，熱穩定性良好。適用于高效率、高功率密度的電力轉換系統，如大功率開關電源、高壓直流變換模塊及可再生能源發電中的逆變單元，適合對系統能效和可靠性要求較高的應用場景。
