HXY40P02D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:12mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這是一款P溝道場效應管，具有20A的連續漏極電流（ID）和-20V的漏源電壓（VDSS），適用于低電壓開關應用。其導通電阻（RDON）低至12mΩ，在12V柵源電壓（VGS）下可實現較小的導通損耗，有助于提升系統效率。該器件采用P溝道設計，常用于電源管理電路中作為負載開關或反向電流保護元件，適合便攜式設備、電池供電單元及各類嵌入式系統中的直流電平轉換與功率控制場景。
