HXYS55N120MP_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:55A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:40mR 參數(shù)4：VGS:18V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有1200V的漏源擊穿電壓（VDSS）和55A的連續(xù)漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）為40mΩ，柵源電壓最大支持18V。基于碳化硅材料特性，器件具備優(yōu)異的耐高壓能力與快速開關(guān)特性，可有效減少開關(guān)損耗并提升系統(tǒng)效率。適用于高電壓、高頻率的電力轉(zhuǎn)換場景，如大功率開關(guān)電源、高壓直流配電模塊、可再生能源逆變系統(tǒng)及高密度功率因數(shù)校正電路，能夠在高溫與高電場環(huán)境下穩(wěn)定工作，滿足嚴苛電力電子應用需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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