HXY50N06NF_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:50A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:12mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具備60V漏源電壓（VDSS）和20V柵源電壓（VGS）耐受能力，適用于中高電壓功率場景。其連續漏極電流為50A，導通電阻典型值為12mΩ，有助于減少大電流下的功率損耗，提高系統整體能效。器件具有優異的開關速度與熱穩定性，適用于直流電源變換、電池供電設備的功率控制、開關電源模塊以及高效率電機驅動電路，可滿足多種高性能功率管理需求。
