HXY30G30NF_DFN5X6B-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6B-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:30A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:9.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該場效應(yīng)管為NP溝道集成型器件，支持30A的漏極電流（ID）和30V的漏源電壓（VDSS），適用于中高功率電源切換與控制電路。其導(dǎo)通電阻低至9.5mΩ（RDON），可顯著降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)能效。柵源電壓范圍為±20V（VGS），具備良好的驅(qū)動適應(yīng)性與可靠性。N與P溝道的組合設(shè)計支持互補(bǔ)工作模式，常用于同步整流、雙向電源開關(guān)、電池供電系統(tǒng)的電源管理、DC-DC變換器及高效率電壓調(diào)節(jié)模塊，適合對電流承載能力與空間布局有較高要求的便攜式設(shè)備與高性能電子裝置。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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