HXY3139KI_SOT-723_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-723 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：8000/圓盤 參數1：ID:0.7A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:450mR 參數4：VGS:10V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該場效應管為P溝道MOSFET，具有20V的漏源擊穿電壓（VDSS）和10V的最大柵源電壓（VGS），可持續承載0.7A的漏極電流（ID），導通電阻（RDON）為450mΩ。P溝道結構使其在高邊開關及電池供電電路中具備簡化驅動的優勢。器件適用于低電壓、小功率的開關應用，如便攜式設備中的電源管理、負載開關、逆變保護電路以及各類低功耗DC-DC轉換模塊，能夠在較小電流條件下實現高效的電流通斷控制與功率分配功能。
