HXYG60N03NF_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具備30V漏源電壓（VDSS）和60A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDS(ON)）低至4.3mΩ，在柵源電壓（VGS）為20V時可實現高效導通。器件適用于高效率功率轉換應用，可用于同步整流、大電流電源開關及電池管理系統中的主控通斷電路。其低導通電阻顯著降低導通損耗，減少發熱，提升系統能效。適合集成于對功率密度與熱性能有要求的高性能電子設備中，支持穩定可靠的高負載工作表現。
