HXY9N20D_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:9A 參數(shù)2：VDSS:200V 參數(shù)3：RDON:290mR 參數(shù)4：VGS:30V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這是一款N溝道場效應(yīng)管，漏源電壓（VDSS）可達(dá)200V，柵源電壓（VGS）最高支持30V，最大連續(xù)漏極電流為9A，適用于中高壓功率開關(guān)應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻為290mΩ，在高電壓工作條件下具備良好的導(dǎo)通性能，有助于降低功率損耗。該器件適合用于開關(guān)電源、直流變換電路、高邊負(fù)載驅(qū)動及高電壓控制回路等場景。憑借較高的電壓耐受能力和穩(wěn)定的工作特性，可滿足多種電子設(shè)備中對高壓開關(guān)元件的需求，尤其適用于需要可靠通斷控制的嵌入式電源系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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