HXY17N10P_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:17A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:80mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有100V漏源擊穿電壓（VDSS）和17A連續(xù)漏極電流（ID），導通電阻為80mΩ，可有效降低導通損耗。柵源電壓范圍為±20V，具備良好的柵極驅動兼容性。器件在中等電壓功率轉換中表現(xiàn)出較高的開關效率與熱穩(wěn)定性，適用于直流電源模塊、高效率同步整流電路及電池供電系統(tǒng)中的功率控制單元。其封裝設計有利于散熱管理，適合對空間與能效有要求的緊湊型電子設備應用，支持高頻開關工作模式。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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