HXY15P06BD_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:95mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該P溝道場效應管具有60V的漏源電壓（VDSS）和20V的柵源電壓（VGS），可承受最高15A的連續漏極電流（ID）。其導通電阻（RDSON）低至95mΩ，有助于降低導通損耗，提升系統效率。采用P溝道設計，適用于電源開關、電池供電設備及直流負載的控制電路中，作為高效開關元件用于實現電源管理與電路通斷控制，滿足對空間緊湊和功耗敏感的應用需求。
