HXY4886S_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:8A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:100mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該NN溝道場效應管額定漏源電壓VDSS為100V，漏極連續電流ID為8A，柵源電壓范圍±20V，導通電阻RDON為100mΩ。雙N溝道結構提供一致的開關特性，適用于中高壓開關電路。100V耐壓可支持較高母線電壓的應用場景，結合較低導通電阻，有助于減少導通損耗，提升系統能效。器件適用于DC-DC升/降壓轉換器、高邊開關電路、電池供電設備的電源管理模塊以及需要中等電流驅動能力的同步整流設計，適合對電路穩定性與空間布局有要求的多功能電子產品。
