IPD60R400CEAUMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有650V漏源電壓額定值（VDSS）和15A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDS(on)）低至260mΩ，可有效降低功率損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定柵極驅動與閾值控制。基于碳化硅材料的特性，器件具備優異的高頻開關性能、高溫穩定性和低反向恢復電荷，適用于高效率、高頻率的電力轉換場景，如大功率開關電源、可再生能源逆變系統、儲能裝置的功率變換模塊以及對熱性能和空間布局要求較高的電子設備。
