MJD08N65_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:6.8A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:460mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有650V的漏源電壓（VDSS）和6.8A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至460mΩ，有助于降低導通損耗，提升系統效率。柵源電壓范圍為-4V至!8V，具備良好的柵極控制穩定性。采用寬禁帶半導體材料碳化硅，可支持高頻、高溫及高壓工作環境，適用于高效率開關電源、DC-DC轉換器、光伏逆變系統及高密度功率模塊等場景，其優異的開關特性有助于減小無源器件體積，提高整體功率密度。
