IPD60R360PFD7S-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具備650V的漏源電壓（VDSS）和15A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至260mΩ，適用于高效率功率轉換設計。其柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保了驅動兼容性與工作穩定性。得益于碳化硅材料的優異特性，該器件可在高頻、高溫及高壓環境下保持低開關損耗與導通損耗，廣泛應用于開關電源、光伏逆變系統、服務器電源模塊及高密度電源轉換裝置中，滿足對能效與功率密度有較高要求的場景。
